Navegação por Assunto "Boro"
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Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,Bi
(2000) [Artigo de periódico]The band-gap shift of the heavily single and double-donor doped systems Si:Bi and Si:P,Bi, prepared by ion implantation, was investigated theoretically and experimentally at room temperature. The calculations were carried ... -
Crescimento, dopagem e caracterização de filmes de nanodiamante CVD
(2014) [Tese]Filmes de nanodiamante (NCD – do inglês nanocrystalline diamond) são de amplo interesse tecnológico uma vez que reúnem propriedades ímpares numa reduzida área. A dopagem desses filmes permite controlar sua condutividade ... -
Degradação do betabloqueador atenolol por oxidação eletroquímica avançada em ânodo de Nb/DDB
(2018) [Trabalho de conclusão de graduação]A origem de muitos contaminantes de preocupação emergente (CPEs) está diretamente associada às águas residuais urbanas, visto que as estações convencionais de tratamento de efluentes (ETE) não são suficientemente eficazes ... -
Estudo da perda de energia de Be, B e O em direções aleatórias e canalizadas de alvos de Si e determinação da respectiva contribuição Barkas
(2004) [Tese]Neste trabalho de tese, foi estudada a perda de energia de íons de Be, B e O incidindo em direção aleatória e ao longo dos canais axiais <100> e <110> do Si. Os intervalos de energia nos quais as medidas experimentais foram ... -
Estudo de difusão de impurezas introduzidas por implantação iônica em polímeros
(2003) [Tese]No presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade ... -
Experimental and theoretical study of the energy loss of Be and B ions in Zn
(2009) [Artigo de periódico]Energy-loss measurements and theoretical calculations for Be and B ions in Zn are presented. The experimental ion energies range from 40 keV/u to 1 MeV/u, which includes the energy-loss maximum and covers a lack of ... -
Growth of boron-doped few-layer graphene by molecular beam epitaxy
(2018) [Artigo de periódico]We investigated the growth of boron-doped few-layer graphene on a-Al2O3 (0001) substrates by molecular beam epitaxy using two different growth approaches: one where boron was provided during the entire graphene synthesis ... -
Hidroboração catalítica de selenoacetilenos
(2020) [Dissertação]A presente dissertação está centrada no desenvolvimento de uma metodologia baseada em reações de hidroboração catalítica de selenoacetilenos, para a síntese de alcenos contendo boro e selênio ligados à ligação dupla. A ... -
Impurity resistivity of the double-donor system Si:P,Bi
(1999) [Artigo de periódico]The electrical resistivity of the shallow double-donor system Si:P,Bi, prepared by ion implantation, was investigated in the temperature range from 1.7 to 300 K. Good agreement was obtained between the measured resistivities ... -
Incorporação de boro em diamante CVD através de diferentes substratos
(2009) [Dissertação]Este trabalho apresenta um estudo sobre a inserção de boro em filmes de diamante crescidos via deposição química a vapor (CVD) e propõe-se a conceber uma rota alternativa de incorporação de boro por fonte sólida, em alta ... -
Incorporação de boro no diamante CVD pelo substrato
(2007) [Trabalho de conclusão de graduação]Este trabalho está relacionado ao estudo sistemático da inserção de boro em filmes de diamante CVD (deposição química a vapor) através do substrato com o intuito de crescer filmes dopados com alta concentração de boro que ... -
Method development and total uncertainty estimation for boron, sulfur and phosphorus determination in mineral fertilizer using ICP OES
(2016) [Artigo de periódico]This study deals with B, S, and P determination in mineral fertilizer and S in commercial sulfur-formulation using inductively coupled plasma optical emission spectrometry. According to multivariate optimization using a ... -
Modelamento da temperabilidade Jominy por regressão linear multipla para aços ao boro
(2011) [Dissertação]A temperabilidade de um aço pode ser definida como a capacidade de obter martensita. Para a determinação da temperabilidade, um dos ensaios que pode-se utilizar é o ensaio de temperabilidade Jominy. O ensaio Jominy prático ... -
Otimização multivariada e validação de métodos para a determinação de boro, enxofre, fósforo e molibdênio em fertilizante mineral por ICP OES
(2016) [Tese]Neste trabalho foram desenvolvidos e validados métodos de determinação de boro, enxofre, fósforo e molibdênio em fertilizante mineral e enxofre elementar em formulação comercial, por ICP OES. As condições de preparação das ... -
Reação de troca boro zinco para arilação conjugada em derivados alquilidenos do ácido de meldrum
(2019) [Trabalho de conclusão de graduação]No presente trabalho foi realizado o estudo de reatividade de compostos mistos de zinco, do tipo ArZnEt, frente a reações de adição conjugada. Dessa forma, foi realizada a adição conjugada do reagente ArZnEt, formado ... -
Role of fluorine in suppressing boron transient enhanced diffusion in preamorphized Si
(2004) [Artigo de periódico]We have explained the role of fluorine in the reduction of the self-interstitial population in a preamorphized Si layer under thermal treatment. For this purpose, we have employed a B spike layer grown by molecular-beam ... -
Síntese de compostos borilados análogos à bederocina (rep8839) e ao resveratrol
(2023) [Tese]O boro desempenha um papel essencial tanto na Síntese Orgânica quanto na Química Medicinal, representando um elemento versátil e estratégico no desenvolvimento de compostos biologicamente ativos. Na Síntese Orgânica, os ... -
Síntese de hidróxi-metil-benzoxaboróis
(2019) [Dissertação]Neste trabalho foi desenvolvida uma nova rota sintética simples, barata e eficiente para a obtenção de benzoxaboróis hidróxi-metil substituídos. A etapachave na nova estratégia envolveu a incorporação inicial do boro através ... -
Ultrastable phonon frequencies in α-quartz-type BPO4 at high temperature
(2019) [Artigo de periódico]The Raman modes of α-quartz-type boron phosphate were found to be extremely stable in frequency over a large temperature range from 300–1000 K. In order to determine the origin of this behavior, the material was also studied ...