Navegação por Assunto "Germanium"
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Comparação da dependência com a temperatura dos espectros de absorção de raios-X do Ge e do GaAs cristalinos
(2013) [Trabalho de conclusão de graduação]Neste estudo foi abordada a dependência do comprimento das ligações inter-atômicas com a temperatura para dois materiais com mesma estrutura cristalina (Germânio e Arseneto de Gálio), porém com diferenças de ionicidade de ... -
Estabilização de filmes finos de óxido de germânio por incorporação de nitrogênio visando aplicações em nanoeletrônica
(2013) [Dissertação]De maneira a melhorar o desempenho de um Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET), o germânio (Ge) é um forte candidato para substituir o silício (Si) como semicondutor, devido a sua alta mobilidade ... -
Improved Ge surface passivation with ultrathin SiO/sub x/ enabling high-mobility surface channel pMOSFETs featuring a HfSiO/WN gate stack
(2007) [Artigo de periódico]To realize high-mobility surface channel pMOSFETs on Ge, a 1.6-nm-thick SiOX passivation layer between the bulk Ge substrate and HfSiO gate dielectric was introduced. This approach provides a simple alternative to epitaxial ...