Navegação por Assunto "MOSFET"
Resultados 1-20 de 24
-
Análise de materiais nanoestruturados utilizando feixes de íons
(2009) [Tese]A miniaturização de dispositivos tecnológicos levou à percepção de novas classes de efeitos devidos ao con namento quântico e à mudança na proporção entre número de átomos presentes na superfície e no volume de estruturas ... -
Analysis of the negative-bias-temperature-instability on omega-gate silicon nanowire SOI MOSFETs with different dimensions
(2020) [Artigo de periódico]This work presents an experimental andThis work presents an experimental and simulated analysis of the Negative-Bias-Temperature-Instability (NBTI) on omega-gate nanowire (NW) pMOSFETS transistors, focusing on the influence ... -
Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization
(2017) [Tese]Low-frequency noise (LFN) is a performance limiter for analog, digital and RF circuits, introducing phase noise in oscillators and reducing the stability of SRAM cells, for example. Metal-oxide-semiconductor field-effect ... -
Automação do projeto de módulos CMOS analógicos usando associações trapezoidais de transistores
(2007) [Tese]A metodologia de projeto semi-customizado usando associações trapezoidais de transistores (TATs) é especialmente viável para o projeto de circuitos integrados mistos analógico- digitais. Vários trabalhos foram desenvolvidos ... -
Circuito oscilador ressonante em baixa tensão de alimentação
(2014) [Trabalho de conclusão de graduação]Este trabalho tem como objetivo o estudo de um circuito oscilador ressonante LC, visando explorar seus limites de operação quando alimentado sob tensão muito baixa. Neste estudo pretende-se modelar o oscilador, de forma a ... -
Compact modelling and parameter extraction of nanoscale FinFETs
(2014) [Trabalho de conclusão de graduação]This graduation work presents a study of FinFETs, compact models and their parameter extraction procedures, and also the results of parameter extractions of measured FinFET devices for different compact models, as well as ... -
A compact model of MOSFET mismatch for circuit design
(2005) [Artigo de periódico]This paper presents a compact model for MOS transistor mismatch. The mismatch model uses the carrier number fluctuation theory to account for the effects of local doping fluctuations along with an accurate and compact dc ... -
Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs
(2012) [Tese]Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como “SOI-FinFET”. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre ... -
Efeito do eletrodo de platina e da passivação com enxofre na formação de filmes dielétricos sobre germânio
(2014) [Dissertação]As estruturas metal-óxido-semicondutor (MOS) são o coração dos transistores de efeito de campo. O estudo e caracterização físico-química desses dispositivos foram a chave para o avanço da tecnologia do Si na indústria ... -
Estabilização de nanoestruturas dielétricas de alta permissividade por incorporação de nitrogênio
(2007) [Tese]Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho ... -
Estruturas de teste para avaliação de variabilidade estatística em MOSFETs sub-100nm
(2009) [Trabalho de conclusão de graduação]As variações nas características elétricas de dispositivos MOS são uma preocupação muito importante no projeto, manufatura e operação de circuitos integrados (CIs). Com a redução contínua (escalamento) das dimensões na ... -
Filmes finos dielétricos para a tecnologia do silício : processamento térmico e caracterização
(2003) [Tese]O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), ... -
Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
(2003) [Tese]Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas ... -
Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
(2008) [Tese]Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido ... -
Hydrogen trapping in oxigen-deficient hafnium silicates
(2007) [Artigo de periódico]Isotopic substitution, nuclear reaction analysis, and x-ray photoelectron spectroscopy were employed to show that oxygen-deficient hafnium (Hf) silicates trap hydrogen atoms. Based on this experimental observation, we used ... -
Impacto da variabilidade PVT em somadores construídos com XORs
(2020) [Dissertação]A operação de soma é a mais usada em Unidades Lógicas e Aritméticas (ULA). A ULA é a unidade mais importante no processamento de dados. Em sistemas digitais, é desejado um somador completo com baixo consumo de energia e ... -
Junções rasas em Si e SIMOX
(2004) [Dissertação]Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia ... -
Modeling and simulation of self-heating effects in p-type MOS transistors
(2018) [Tese]The complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) scaling process of the recent decades, coupled with new device structures and materials, has aggravated thermal problems and turned them into major reliability issues for ... -
MOSFET ZTC condition analysis for a self-biased current reference design
(2015) [Artigo de periódico]In this paper a self-biased current reference based on Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Zero Temperature Coefficient (ZTC) condition is proposed. It can be imple mented in any Complementary ... -
Otimização de PVA para uso como dielétrico em eletrônica orgânica
(2022) [Trabalho de conclusão de graduação]O Álcool Poli Vinílico (PVA) é provavelmente o polímero mais estudado para aplicações dielétricas em dispositivos orgânicos, mas a concentração de grupos OH é capaz de afetar as características desses dispositivos. Uma ...