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Estabilização de nanoestruturas dielétricas de alta permissividade por incorporação de nitrogênio
(2007) [Tese]Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho ...