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Caracterização estrutural de filmes de Ga2O3 fabricados por sputtering e modificados por irradiação iônica
(2021) [Trabalho de conclusão de graduação]O óxido de gálio (Ga2O3) possui propriedades que o destacam frente a outros semicondutores de bandgap largo, entre elas, seu bandgap mais amplo, elevado campo elétrico de ruptura, alta fotossensibilidade ultra-violeta (UV), ... -
Effects of heavy Si doping on the structural and optical properties of n-GaN/AlN/Si(111) heterostructures
(2022) [Artigo de periódico]n-GaN/ AlN heterostructures were grown by molecular beam epitaxy on Si(111)substrates.The GaN films were n-type doped with silicon and the effect of doping concentration on the structural and optical properties was studied. ... -
Estabilização de filmes finos de óxido de germânio por incorporação de nitrogênio visando aplicações em nanoeletrônica
(2013) [Dissertação]De maneira a melhorar o desempenho de um Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET), o germânio (Ge) é um forte candidato para substituir o silício (Si) como semicondutor, devido a sua alta mobilidade ... -
Porosidade em filmes de InxGa1−xSb : influência da variação da corrente de irradiação
(2022) [Trabalho de conclusão de graduação]Neste trabalho foi analisada a influência da variação da corrente de irradiação na formação de porosidade em quatro tipos de filmes semicondutores fabricados por magnetron sputtering. Tendo como base um substrato padrão ... -
Preparação e caracterização magnetoelétrica de multimarcas de W/CoFeB
(2023) [Trabalho de conclusão de graduação]Este trabalho é focado no estudo experimental de anisotropia magnética em sistemas formados por heteroestruturas de multicamadas entre W/CoFeB. A investigação é feita através de: (i) medidas de caráter estrutural para ...