Navegação por Assunto "Recozimento"
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Caracterização da implantação de Ne em Si (100)
(2007) [Tese]Esta tese apresenta um estudo sistemático sobre a formação e evolução do sistema de bolhas, cavidades e defeitos gerados pela implantação de Ne em Si monocristalino. A implantação de gases inertes em Si tem sido explorada ... -
Comment on "Atomic transport and chemical stability during annealing of ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ films on Si" : reply
(2001) [Artigo de periódico] -
Comparison of nitrogen incorporation in SiO/sub 2//SiC and SiO/sub 2/Si structures
(2000) [Artigo de periódico]The nitrogen content of SiO2/SiC (4H) structures annealed in NO and N2O has been measured using nuclear reaction analysis. Samples were annealed in 15N18O or 15N2O at 1000 °C at a static pressure of 10 mbar for either 1 ... -
Composition, atomic transport, and chemical stability of ZrAl/sub x/O/sub y/ ultrathin films deposited on Si(001)
(2001) [Artigo de periódico]The stability of a ZrAlxOy film sputtered on Si upon thermal annealing in vacuum or in O2 was investigated. X-ray diffraction indicated that the as-deposited film was amorphous and remained so after annealing. Rutherford ... -
Copper gettering at half the projected ion range induced by low-energy channeling He implantation into silicon
(2000) [Artigo de periódico]He1 ions were implanted at 40 keV into Si <100> channel direction at room temperature (RT) and at 350 °C. The Si samples were subsequently doped with Cu in order to study the gettering of Cu atoms at the defective layer. ... -
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
(2003) [Dissertação]A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ... -
Desenvolvimento do ciclo térmico para a liga DIN 19CrNi5 aplicada em engrenagens automotivas
(2019) [Trabalho de conclusão de graduação]A competitividade do mercado automotivo faz com que a procura por novas ligas metálicas aumente à medida em que são desenvolvidas novas tecnologias. Dentre estes materiais, tem-se a liga DIN 19CrNi5, empregada para fabricação ... -
Development of granular structure in Cu/sub 90/Co/sub 10/ ribbons through furnace and current annealing
(2000) [Artigo de periódico]On-line measurements of resistance and temperature in melt-spun Cu90Co10 ribbons are made using two different annealing techniques: conventional furnace annealing, and linearly varying current Joule heating. The aim of ... -
Dinâmica de paredes de domínios magnéticos : um estudo através da impedanciometria
(2001) [Tese]Neste trabalho é apresentado um estudo sobre a dinâmica de paredes de domínios através de medidas de impedanciometria. É proposto um método que permite a obtenção dos seguintes parâmetros das amostras estudadas: mobilidade ... -
Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
(2007) [Dissertação]Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado ... -
Effect of irradiation temperature and ion flux on electrical isolation of GaN
(2002) [Artigo de periódico]We study the evolution of sheet resistance of n-type GaN epilayers irradiated with MeV 1H and 12C ions. Results show that both implantation temperature (varied from 77 up to 423 K) and ion beam flux affect the process of ... -
Effects of thermal annealing on the structural, mechanical, and tribological properties of hard fluorinated carbon films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
(2004) [Artigo de periódico]Hard amorphous fluorinated carbon films (a-C:F) deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition were annealed in vacuum for 30 min in the temperature range of 200–600 °C. The structural and compositional modifications ... -
Electrical isolation of n-type and p-type InP layers by proton bombardment
(2001) [Artigo de periódico]The evolution of the sheet resistance (Rs) of n-type and p-type conductive InP layers during proton irradiation and the stability of the formed isolation during postirradiation annealing were investigated. It was found ... -
Estabilização de filmes finos de óxido de germânio por incorporação de nitrogênio visando aplicações em nanoeletrônica
(2013) [Dissertação]De maneira a melhorar o desempenho de um Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET), o germânio (Ge) é um forte candidato para substituir o silício (Si) como semicondutor, devido a sua alta mobilidade ... -
Estudo da difusão de metais em polímeros
(1998) [Resumo publicado em evento] -
Estudo da recuperação de chumbo proveniente de um processo de recozimento de arames
(2022) [Trabalho de conclusão de graduação]A trefilação de arames de aço está presente entre os seres humanos há muitos anos, e seu processo possui etapas cruciais para o sucesso de seu produto. Dentre elas podemos citar o recozimento do aço, processo esse que ... -
Estudo das transformações de fase no sistema Fe-N induzidas por bombardeamento iônico
(1998) [Resumo publicado em evento] -
Estudo dos efeitos das condições de processamento sobre propriedades de filmes de PVDF-TRFE
(2019) [Dissertação]Poli(fluoreto de vinilideno - trifluoroetileno) (PVDF-TrFE) é um copolímero semicristalino que apresenta propriedades piro, piezo e ferroelétricas. Pode ser depositado por spin coating e utilizado em diversas aplicações, ... -
Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
(2003) [Tese]Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas ... -
Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si
(2004) [Tese]Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas ...