Navegação por Assunto "SIMOX"
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Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
(2007) [Dissertação]Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado ... -
Estudo da perda de energia de Be, B e O em direções aleatórias e canalizadas de alvos de Si e determinação da respectiva contribuição Barkas
(2004) [Tese]Neste trabalho de tese, foi estudada a perda de energia de íons de Be, B e O incidindo em direção aleatória e ao longo dos canais axiais <100> e <110> do Si. Os intervalos de energia nos quais as medidas experimentais foram ... -
Estudo do poder de freamento de He, Li, Eu e Bi canalizados em alvos de Si cristalino
(2000) [Tese]Neste trabalho, foi realizado um estudo experimental sistemático da perda de energia de íons canalizados ao longo das direções h100i , h111i e h110i de cristais de Si. Foram abordados dois aspectos distintos, porém correlatos, ... -
Junções rasas em Si e SIMOX
(2004) [Dissertação]Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia ... -
Perda de energia e fragmentação de íons moleculares em cristais
(2005) [Tese]Os fenômenos decorrentes da interação entre íons monoatômicos e a matéria têm sido amplamente estudados há décadas. No entanto, um esforço comparativamente menor tem sido despendido no estudo dos fenômenos decorrentes da ... -
Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias
(2008) [Tese]A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio ... -
Síntese de SiC por implantação iônica de carbono em SIMOX(111) e Si(111)
(2009) [Dissertação]SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de ... -
Thermal activation of As implanted in bulk Si and separation by implanted oxygen
(2004) [Artigo de periódico]We have studied arsenic (As) diffusion and its electrical activation in two different types of silicon substrates: bulk Si and separation by implanted oxygen (SIMOX) wafers. Both substrates were implanted with a dose of ...