• Análise de projeto de circuitos amplificadores sensores de realimentação positiva em memórias SRAM 

      Vianna, Felipe Renz Barreto (2022) [Trabalho de conclusão de graduação]
      Em sistemas embarcados modernos, a memória volátil SRAM é utilizada como cache para assegurar a alta velocidade de processamento de instruções e dados, ocupando parte significativa do tamanho dos circuitos integrados. O ...
    • Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas 

      Camargo, Vinícius Valduga de Almeida (2009) [Trabalho de conclusão de graduação]
      Este trabalho tem por objetivo analisar o impacto causado no atraso de propagação de portas lógicas e a probabilidade de falhas em células de memória estáticas de acesso aleatório (SRAM) devido a Negative Bias Temperature ...
    • Análise dos efeitos da radiação ionizante em memórias FLASH e SRAM 

      Benevides, Alexandre Bergmann Ypiranga (2011) [Trabalho de conclusão de graduação]
      Este relatório apresenta o trabalho desenvolvido durante a disciplina Projeto de Diplomação do Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. O projeto desenvolvido consiste no estudo dos efeitos ...
    • Aspectos de robustez para memórias SRAM em FDSOI 

      Marques, Cleiton Magano (2021) [Dissertação]
      A evolução tecnológica permitiu a redução agressiva do tamanho dos transistores, proporcionando melhorias nos aspectos de desempenho e funcionalidade geral da eletrônica. Hoje, a microeletrônica se tornou parte essencial ...
    • Memory circuit hardening to Multiple-Cell Upsets 

      Brendler, Leonardo Heitich (2024) [Tese]
      A new era of space exploration is coming with an exponential increase in satellites and a drastic cost reduction. Memory circuits are a fundamental part of space applications, and techniques to deal with the radiation ...
    • Reliability evaluation of finFET-based SRAMs in the presence of resistive defects 

      Copetti, Thiago Santos (2021) [Tese]
      The development of Fin Field Effect Transistor (FinFET) has made possible the continuous scaling-down of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology, overcoming issues caused by the Short-Channel Effects. In ...
    • Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM) 

      Paniz, Vitor (2010) [Dissertação]
      Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado, através de simulação com o Hspice (HSPICE, 2009; KIME, ...