Navegação por Assunto "Semicondutores"
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Accumulation horizons and period adding in optically injected semiconductors lasers
(2007) [Artigo de periódico]We study the hierarchical structuring of islands of stable periodic oscillations inside chaotic regions in phase diagrams of single-mode semiconductor lasers with optical injection. Phase diagrams display remarkable ... -
Analysis of the negative-bias-temperature-instability on omega-gate silicon nanowire SOI MOSFETs with different dimensions
(2020) [Artigo de periódico]This work presents an experimental andThis work presents an experimental and simulated analysis of the Negative-Bias-Temperature-Instability (NBTI) on omega-gate nanowire (NW) pMOSFETS transistors, focusing on the influence ... -
Analysis of total ionizing dose effects on 0.13 µm technology-temperature-compensated voltage references
(2013) [Artigo de periódico] -
Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
(2009) [Tese]O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta ... -
Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão e microanálise com raios-x de filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício
(2008) [Trabalho de conclusão de graduação]A busca de materiais alternativos ao silício representa uma prioridade na pesquisa para a Micro e a Nanoeletrônicas. Dentre os semicondutores possíveis, o carbeto de silício (SiC) encontra-se em destaque porque, além de ... -
Controle da transição de fase cristalina de dissulfeto de molibdênio (MoS2) com feixe de íons
(2023) [Dissertação]Recentemente, os dicalcogenetos de metais de transição, ou simplesmente TMDs, têm atraído grande atenção devido às suas vastas aplicações tecnológicas. Entre esses materiais, o dissulfeto de molibdênio (MoS2), um material ... -
Copper gettering at half the projected ion range induced by low-energy channeling He implantation into silicon
(2000) [Artigo de periódico]He1 ions were implanted at 40 keV into Si <100> channel direction at room temperature (RT) and at 350 °C. The Si samples were subsequently doped with Cu in order to study the gettering of Cu atoms at the defective layer. ... -
Crescimento e caracterização de monocristais do semicondutor GaSb pela técnica do líquido encapsulante no método Czochralski
(1991) [Dissertação]Neste trabalho foram desenvolvidas algumas das etapas de um processo que culmina com a obtenção e caracterização de monocristais do semicondutor GaSb crescidos pela técnica de Czochralski com o uso de um líquido encapsulante. ... -
Crescimento homogêneo de dissulfeto de metais de transição (TMD) sobre substrato de Si / SiO2 pela técnica de fusão do precursor metálico
(2021) [Trabalho de conclusão de graduação]Este trabalho investigou o processo de crescimento homogêneo de WS2 pelo método de fusão de uma solução de precursor metálico Na2WO4 sobre substrato Si / SiO2 com posterior sulfurização da amostra. Os parâmetros reacionais ... -
Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição
(2004) [Dissertação]O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O ... -
Determinação de capacitâncias e propriedades semicondutoras de óxidos sobre aços inoxidáveis em solução tampão de borato e em líquido iônico
(2010) [Dissertação]As propriedades semicondutoras de filmes passivos foram comparativamente estudadas, em solução tampão de borato pH 9,2 e em BMMITFSI, um Líquido Iônico (LI) a temperatura ambiente com diferentes concentrações de água por ... -
Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
(2020) [Trabalho de conclusão de graduação]Neste trabalho, foi investigado um material semicondutor usado como substituto para o silício (Si) em aplicações com alta potência, frequência e temperatura: o carbeto de silício (SiC). Sua principal característica de ... -
Dispositivo para análise e caracterização de materiais semicondutores utilizados como sensores de gás
(2021) [Dissertação]O trabalho apresentado nessa dissertação consiste fundamentalmente no estudo (projeto), desenvolvimento e teste de um dispositivo eletrônico destinado à obtenção de parâmetros elétricos e térmicos, como resistividade ... -
Dopants redistribution during titanium-disilicide formation by rapid thermal processing
(1987) [Artigo de periódico]Redistribution of implanted As (5 X 10 15 cm-², 150 keV) and Sb ( 1 X 10 15 cm-², 200 keV) due to TiSi2 formation by rapid thermal processing was investigated by means of backscattering spectroscopy. By choosing properly ... -
Effects of Te additions and stirring in the In segregation in Ga1-xInxSb alloys
(2016) [Artigo de periódico]The influence of tellurium in the indium segregation of Ga1-xInxSb:Te ingots obtained by the conventional vertical Bridgman method (CVBM), under stirred and nonstirred conditions, was investigated. Three Te-doped ingots ... -
Enhanced electrical activation of indium coimplanted with carbon in a silicon substrate
(1999) [Artigo de periódico]Electrical activation of In of 18%–52% of the implanted dose (531014 cm-²) was obtained in Si samples having a C+ coimplantation after rapid thermal annealing (RTA) at 800–1000 °C for 15 s. This electrical activation yield ... -
Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica
(2012) [Trabalho de conclusão de graduação]O objetivo deste trabalho é estudar a estrutura local de semicondutores amofizados via implantação iônica. Utilizaremos a região de EXAFS de espectros de absorção de raios-x para identificar as modificações induzidas nos ... -
Estudo da influência do alumínio como dopante e do ultra-som em cristais de antimonieto de galio crescidos por LEC
(1994) [Tese]Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais do composto semicondutor III-V-GaSb, crescidos a partir da fase líquida pelo método Czochralski e pela técnica do Líquido Encapsulante (LEC). Na parte experimental, ... -
Estudo de camadas superficiais de SiC e GaAsN sintetizadas por implantação iônica em Si e GaAs
(2013) [Tese]Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo ... -
Estudo experimental da interação quadrupolar elétrica no InSb em altas pressões
(1980) [Dissertação]Neste trabalho estudou-se a transição de fase (semi-condutor-metal) induzida por alta pressão no InSb, através de medidas do gradiente de campo elétrico (GCE), presente no sítio do In, utilizando a técnica de correlação ...