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dc.contributor.authorMartini, Julio Cesarpt_BR
dc.contributor.authorAzevedo, Gustavo de Medeirospt_BR
dc.contributor.authorBehar, Monipt_BR
dc.contributor.authorGrande, Pedro Luispt_BR
dc.date.accessioned2014-08-29T02:10:09Zpt_BR
dc.date.issued1996pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/102138pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.language.isoporpt_BR
dc.relation.ispartofSalão de Iniciação Científica (8. : 1996 : Porto Alegre). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 1996.pt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectFísica da matéria condensadapt_BR
dc.subjectImplantação de íonspt_BR
dc.subjectRetroespalhamento rutherfordpt_BR
dc.titleEstudo da distribuição de bismuto implantado na direção canalizada <100> de silíciopt_BR
dc.typeResumo publicado em eventopt_BR
dc.contributor.eventSalão de Iniciação Científica (8. : 1996 set. 09-13 : UFRGS, Porto Alegre, RS).pt_BR
dc.identifier.nrb000177043pt_BR
dc.subject.sessionFÍSICA ATÔMICApt_BR
dc.subject.cnpqCiências exatas e da terrapt_BR
dc.description.number142pt_BR
dc.type.originNacionalpt_BR


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