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Reaction-diffusion model for thermal growth of silicon nitride films on Si

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Reaction-diffusion model for thermal growth of silicon nitride films on Si

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Título Reaction-diffusion model for thermal growth of silicon nitride films on Si
Autor Almeida, Rita Maria Cunha de
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Abstract Thermal growth of ultrathin silicon nitride films on Si in NH₃ is modeled as a dynamic system governed by reaction-diffusion equations. Solution of the model yields profiles of the involved species consistent with experimental observations of a stoichiometric silicon nitride layer in the near-surface region and a subnitride layer of comparable thickness in the near-interface region. Self-limited growth kinetics are also obtained from the model equations in good agreement with experimental results, owing to a diffusion barrier layer to the nitridant species formed in the near-surface region by stoichiometric silicon nitride.
Contido em Physical review. B, Condensed matter and materials physics. Woodbury. Vol. 62, no. 24 (Dec. 2000), p. R16255-R16258
Assunto Compostos de silício
Estequiometria
Filmes finos isolantes
Interfaces semicondutor-isolante
Nitretacao
Química de superfícies
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/103841
Arquivos Descrição Formato
000281926.pdf (55.79Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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