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Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,Bi

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Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,Bi

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Título Band-gap shift of the heavily doped single- and double-donor systems Si:Bi and Si:P,Bi
Autor Araújo, C. Moysés
Almeida, J. Souza de
Pepe, I.
Silva, Antonio Ferreira da
Sernelius, Bo E.
Souza, Joel Pereira de
Boudinov, Henri Ivanov
Abstract The band-gap shift of the heavily single and double-donor doped systems Si:Bi and Si:P,Bi, prepared by ion implantation, was investigated theoretically and experimentally at room temperature. The calculations were carried out within a framework of the random-phase approximation and the temperature and different manybody effects were taken into account. The experimental data were obtained with photoconductivity measurements. Theoretical and experimental results fall closely together in a wide range of donor concentration.
Contido em Physical review. B, Condensed matter and materials physics. Melville. Vol. 62, no. 19 (Nov. 2000), p. 12882-12887
Assunto Banda de energia proibida
Boro
Estados de impureza
Fosforo
Fotocondutividade
Semicondutores elementares
Semicondutores fortemente dopados
Silicones
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/103861
Arquivos Descrição Formato
000279154.pdf (72.70Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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