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Angular dependence of the electronic energy loss of 800-keV He ions along the Si<100> direction

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Angular dependence of the electronic energy loss of 800-keV He ions along the Si<100> direction

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Título Angular dependence of the electronic energy loss of 800-keV He ions along the Si<100> direction
Autor Santos, Jose Henrique Rodrigues dos
Grande, Pedro Luis
Behar, Moni
Boudinov, Henri Ivanov
Schiwietz, Gregor
Abstract We present measurements of the stopping power of 800-keV 4He ions channeled along the Si(100) axis, as a function of the incidence angle. We compare the experimental results with theoretical calculations by using the impact-parameter-dependent energy loss obtained from the solution of the time-dependent Schro¨dinger equation through the coupled-channel method. This nonperturbative calculation provides reliable energy-loss results which are in good agreement with the experimental results.
Contido em Physical review. B, Condensed matter. New York. Vol. 55, no. 7 (Feb. 1997), p. 4332-4342
Assunto Fisica da materia condensada
Hélio
Retroespalhamento rutherford
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/104224
Arquivos Descrição Formato
000192473.pdf (267.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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