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Impurity resistivity of the double-donor system Si:P,Bi

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Impurity resistivity of the double-donor system Si:P,Bi

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Título Impurity resistivity of the double-donor system Si:P,Bi
Autor Silva, Antonio Ferreira da
Sernelius, Bo E.
Souza, Joel Pereira de
Boudinov, Henri Ivanov
Zheng, Hairong
Sarachik, M.P.
Abstract The electrical resistivity of the shallow double-donor system Si:P,Bi, prepared by ion implantation, was investigated in the temperature range from 1.7 to 300 K. Good agreement was obtained between the measured resistivities and resistivities calculated by a generalized Drude approach for the same temperatures and dopant concentrations. The critical impurity concentration for the metal-nonmetal transition for the double-doped Si:P,Bi system was found to lie between the critical concentrations of the two single-doped systems, Si:P and Si:Bi.
Contido em Physical review. B, Condensed matter and materials physics. Melville. Vol. 60, no. 23 (Dec. 1999), p. 15824-15828
Assunto Boro
Condutividade eletrica
Dopagem de semicondutores
Fosforo
Implantacao de ions
Impurezas
Retroespalhamento rutherford
Semicondutores
Silicio
Temperatura
Transicao metal isolante
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/104254
Arquivos Descrição Formato
000269719.pdf (82.33Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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