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Low potential barrier height effects in magnetic tunneling junctions

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Título Low potential barrier height effects in magnetic tunneling junctions
Autor Cruz de Gracia, Evgeni Svenk
Dorneles, Lucio Strazzabosco
Schelp, Luiz Fernando
Teixeira, Sergio Ribeiro
Baibich, Mario Norberto
Abstract This paper reports on the study of deposited (Ni81Fe19/AlOx /Co) magnetic tunnel junctions by magnetron sputtering, with the insulating layer obtained by plasma oxidation of Al. Concentration of the tunnel current in small areas of the junctions and low potential barrier heights were identified by fitting, for each individual sample, the room temperature I-V curves with either Simmons’ [J. Appl. Phys. 34, 1793 1963 ; 35, 2655 (1964) ; 34, 2581 (1963)] or Chow’s [J. Appl. Phys. 36, 559 (1965)] model. A fast decrease of the tunnel magnetoresistance as a function of the bias voltage is observed, with an inversion of its signal above a critical value. The results are discussed in terms of the quantum coherence factor for low height insulating barriers.
Contido em Physical review. B, Condensed matter and materials physics. Woodbury. Vol. 76, no. 21 (Dec. 2007), 214426 7p.
Assunto Junções
Magnetoresistencia
Propriedades magneticas
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/104513
Arquivos Descrição Formato
000624132.pdf (517.8Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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