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Latent ion tracks in amorphous silicon

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Latent ion tracks in amorphous silicon

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Título Latent ion tracks in amorphous silicon
Autor Bierschenk, Thomas
Giulian, Raquel
Afra, Boshra
Rodriguez, M. D.
Schauries, Daniel
Mudie, Stephen
Pakarinen, O. H.
Djurabekova, F.
Nordlund, K.
Osmani, O.
Medvedev, N.
Rethfeld, B.
Ridgway, M.C.
Kluth, Patrick
Abstract We present experimental evidence for the formation of ion tracks in amorphous Si induced by swift heavy-ion irradiation. An underlying core-shell structure consistent with remnants of a high-density liquid structure was revealed by small-angle x-ray scattering and molecular dynamics simulations. Ion track dimensions differ for as-implanted and relaxed Si as attributed to differentmicrostructures andmelting temperatures. The identification and characterization of ion tracks in amorphous Si yields new insight into mechanisms of damage formation due to swift heavy-ion irradiation in amorphous semiconductors.
Contido em Physical review. B, Condensed matter and materials physics. Woodbury. Vol. 88, no. 17 (Nov. 2013), 174111, 5 p.
Assunto Efeitos de radiação
Metodo de dinamica molecular
Microestrutura cristalina
Semicondutores amorfos
Semicondutores elementares
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/104567
Arquivos Descrição Formato
000906992.pdf (597.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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