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Influence of the implantation and annealing parameters on the photoluminescence produced by Si hot implantation

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Influence of the implantation and annealing parameters on the photoluminescence produced by Si hot implantation

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Título Influence of the implantation and annealing parameters on the photoluminescence produced by Si hot implantation
Autor Sias, Uilson Schwantz
Behar, Moni
Boudinov, Henri Ivanov
Moreira, Eduardo Ceretta
Contido em Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms. Amsterdam. Vol. 257, no. 1/2 (Apr. 2007), p. 51-55
Assunto Implantacao de ions
Nanocristais
Polímeros
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/10529
Arquivos Descrição Formato
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