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Lattice site investigation of F in preamorphized Si

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Lattice site investigation of F in preamorphized Si

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Título Lattice site investigation of F in preamorphized Si
Autor Bernardi, Fabiano
Santos, Jose Henrique Rodrigues dos
Behar, Moni
Kling, Andreas
Abstract The lattice location of F atoms in Si was experimentally studied. Si single crystals were amorphized, implanted with F, and afterwards the amorphous layer was recrystallized. Some of the samples prepared in this way were also annealed at 750 °C for 60 min. The 19F (p, α ƴ)16 resonant nuclear reaction at 340.5 keV was employed to measure the probability of a close encounter between protons and F nuclei as a function of the incident angle with respect to six major crystalline directions. The predictions of several ab initio calculations proved to be incompatible with the present experimental findings.
Contido em Physical review. B, Condensed matter and materials physics. Woodbury. Vol. 76, no. 3 (July 2007), 033201 3p.
Assunto Amorfizacao
Cristais
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/109084
Arquivos Descrição Formato
000603165.pdf (139.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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