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H-induced subcritical crack propagation and interaction phenomena in (001) Si using He-cracks templates

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H-induced subcritical crack propagation and interaction phenomena in (001) Si using He-cracks templates

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Título H-induced subcritical crack propagation and interaction phenomena in (001) Si using He-cracks templates
Autor Reboh, Shay
Barbot, Jean François
Beaufort, Marie France
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Abstract H and He ion implantations allow the formation of nanocracks within controlled subsurface depths in semiconducting materials. Upon annealing, crack propagation and coalescence provides a way of cutting monocrystalline thin films. Here, the mechanisms of coalescence by crack-tip interactions are depicted in 001 Si wafers. Starting from overpressurized He-cracks, subcritical propagation was activated by diffusional H. Nanocrack interaction can occur by elastic forces, causing tip folding, or by plastic deformation forming extended defects. These observations are discussed and modeled using elasticity and fracture mechanics. The model suggests that kinetic effects in the cutting process depend on the crack interplanar separations.
Contido em Applied physics letters. Melville, NY. Vol. 96, no. 3 (Jan. 2010), p. 031907-1 a 031907-3
Assunto Filmes finos
Implantacao de ions
Mecânica da fratura
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/117992
Arquivos Descrição Formato
000967952.pdf (818.9Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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