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The effects of ion implantation through very thin silicon oxide films

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The effects of ion implantation through very thin silicon oxide films

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Título The effects of ion implantation through very thin silicon oxide films
Autor Baumvol, Israel Jacob Rabin
Stedile, Fernanda Chiarello
Rigo, Serge
Ganem, Jean-Jacques
Trimaille, Isabelle
Abstract The ion implantation of heavy dopant species through very thin silicon oxide gate insulators degrades the insulating properties of the oxide inducing an enhanced leakage current in MOS siructures as well as a decrease of the dielectric breakdown voltage. In the present work we study quantitatively the possible physico-chemical causes of these degradation phenomena and of their recovery by thermal annealing using 18 O isotopic tracing techniques.
Contido em Brazilian Journal of Physics. São Paulo. Vol. 24, no. 2 (June 1994), p. 529-537
Assunto Filmes finos
Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Implantacao ionica
Origem Nacional
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/118261
Arquivos Descrição Formato
000220162.pdf (275.7Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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