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Desenvolvimento de um sistema de extracao de parametros atraves de medidas em disposiivos semicondutores integrados, controladas por microcomputador : relatorio final do projeto PADCT/sinst

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Desenvolvimento de um sistema de extracao de parametros atraves de medidas em disposiivos semicondutores integrados, controladas por microcomputador : relatorio final do projeto PADCT/sinst

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Título Desenvolvimento de um sistema de extracao de parametros atraves de medidas em disposiivos semicondutores integrados, controladas por microcomputador : relatorio final do projeto PADCT/sinst
Autor Engel, Paulo Martins
Data 1989
Assunto Dispositivos semicondutores
Microeletronica
Unidade : Medida
Resumo Neste projeto desenvolveu-se um sistema automático para aquisição ~ de medidas do tipo Capacitância-Tensão (C-V) que integra uma estação de extração de parâmetros, em desenvolvimento no Grupo de Microeletrônica do CPGCC da UFRGS. Este sistema consta de um módulo microcontrolador, de uma interface GPIB, módulos de conversão D/A e A/D, e unidades de estímulo e medidas C-V. A montagem destes módulos, juntamente com o desenvolvimento do software básico para operação do sistema, deu origem a um primeiro protótipo que serviu de meio para o teste prático do sistema. Como continuação deste trabalho planeja-se desenvolver um conjunto de programas para o controle automático das medidas e tratamento automatizado dos dados, permitindo a extração de importantes parâmetros para a caracterização de dispositivos semicondutores, em especial do tipo MOS (Metal-óxidoSemicondutor).
Abstract In this project we have developed an automatic c-v measurement data acquisition system, which is part of a parametric testing system for semiconductor devices under development at CPGCC/UFRGS Microelectronics Group. This system consists of a microcontroller module, GPIB interface, A/D and D/A conversion boards and stimuli and measurement units. For the test of this system we have built a first prototype. To continue this work we plan to develop a set of CAD tools, which will control all the steps of the C-V measurement, and automatica11y fit the measured data which theoretical curves. From this process it is possible to extract important device parameters.
Tipo Relatório Técnico e de Pesquisa
URI http://hdl.handle.net/10183/126693
Arquivos Descrição Formato
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