Efeito de crosstalk em circuitos integrados e sua aplicação à linearização de um amplificador de potência

Abstract

Este trabalho foi desenvolvido com o objetivo de avaliar o efeito de crosstalk em circuitos integrados frente a variações de leiaute e aplicá-lo ao projeto de um sensor de potência para a linearização de um amplificador de potência. O trabalho foi desenvolvido através de simulações eletromagnéticas de trilhas em um processo de fabricação CMOS de 0,18μm. Verificou-se quantitativamente fatores que melhorem o acomplamento entre duas trilhas, modeladas como linhas de transmissão (LTs), sendo os principais a distância entre elas e o comprimento que possuem em paralelo. Validou-se também um modelo elétrico para esse efeito, além de propor um método alternativo para a extração dos parâmetros do circuito. Por fim, projetou-se a utilização do efeito de crosstalk entre duas linhas para a linearização do amplificador especificado.

The work here presented aims to evaluate the crosstalk effect on integrated circuits upon layout variations and to apply it to a project of a power sensor for a power amplifier linearization. The work was developed through computer electromagnetic simulations of lines in a CMOS 0,18 μm fabrication process. Factors for a crosstalk improvement between two lines were checked, distance between them and parallel length being the main ones. An electric model for the effect was validated, and a new method of parameter extraction is proposed. Finally, the project of two lines for the use as a power sensor was made.