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dc.contributor.advisorFabris, Eric Ericsonpt_BR
dc.contributor.authorKunz, Douglas Felipept_BR
dc.date.accessioned2015-10-14T02:37:17Zpt_BR
dc.date.issued2015pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/127668pt_BR
dc.description.abstractEste trabalho apresenta o projeto e a simulação de um amplificador diferencial em tecnologia CMOS 500 nm. A topologia escolhida é composta por um par diferencial NMOS, uma carga ativa PMOS e um espelho de corrente NMOS. O circuito foi idealizado para operar com tensão de alimentação de até 1,5 V. Assim, foi necessário dimensionar os transistores para que operem na região de inversão fraca. Adotou-se o modelo EKV e o método gm=ID.pt_BR
dc.description.abstractThis paper presents the design and simulation of a differential amplifier in 500 nm CMOS technology. The topology chosen is composed of an NMOS differential pair, an active load PMOS and an NMOS current mirror. The circuit is designed to operate with supply voltage of 1.5 V. Thus, it was necessary to size the transistors to operate in weak inversion region.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectEngenharia elétricapt_BR
dc.subjectMOSen
dc.subjectIntegrated circuiten
dc.subjectWeak inversionen
dc.subjectGm/IDen
dc.subjectCoeficient inversionen
dc.titleProjeto e simulação de um amplificador diferencial CMOS através do método gm/IDpt_BR
dc.typeTrabalho de conclusão de graduaçãopt_BR
dc.identifier.nrb000971075pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentEscola de Engenhariapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2015pt_BR
dc.degree.graduationEngenharia Elétricapt_BR
dc.degree.levelgraduaçãopt_BR


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