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Influence of thermal growth parameters on the SiO2/4H-SiC interfacial region

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Influence of thermal growth parameters on the SiO2/4H-SiC interfacial region

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Título Influence of thermal growth parameters on the SiO2/4H-SiC interfacial region
Autor Pitthan Filho, Eduardo
Lopes, L. D.
Palmieri, Rodrigo
Corrêa, Silma Alberton
Soares, Gabriel Vieira
Boudinov, Henri Ivanov
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract In order to elucidate the origin of SiC electrical degradation from thermal oxidation, 4H-SiC substrates were thermally oxidized under different conditions of time and pressure. Results from nuclear reaction analyses were correlated to those from electrical measurements. Although the increase in the flatband voltage shift and in the film thickness were related to the oxidation parameters, the results exclude the thickness of the SiO2/4H-SiC interfacial region and the amount of residual oxygen compounds present on the SiC surface as the main cause of the electrical degradation from the SiC oxidation. © 2013 Author(s). All article content, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution 3.0 Unported License.
Contido em APL Materials. New York. Vol. 1, no. 2 (Aug. 2013), p. 022101-022107
Assunto Carboneto de silício
Oxidação térmica
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/140170
Arquivos Descrição Formato
000913265.pdf (1.252Mb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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