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Atomic transport across the interfaces during the formation of ultrathin silicon oxide/nitride/oxide films

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Atomic transport across the interfaces during the formation of ultrathin silicon oxide/nitride/oxide films

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Título Atomic transport across the interfaces during the formation of ultrathin silicon oxide/nitride/oxide films
Autor Baumvol, Israel Jacob Rabin
Salgado, Tania Denise Miskinis
Radtke, Claudio
Krug, Cristiano
Andrade, Jones de
Abstract The redistribution of O and N during the final, thermal oxidation in dry O2 step in the formation of ultrathin silicon oxide/nitride/oxide dielectric films ~ONO! was investigated using isotopic tracing and depth profiling with nanometer resolution. The results show that the final oxidation step induces atomic transport of O and N species in the system, such that the formed ONO structures are not stacked layer structures, but rather a silicon oxynitride ultrathin film, having moderate concentrations of N in the near-surface and near-interface regions, and a high N concentration in the bulk.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 73, no. 14 (Oct. 1998), p. 1970-1972
Assunto Deposicao de vapor quimico
Filmes finos dieletricos
Implantacao de ions
Nitrogenio
Oxidacao
Oxigenio
Oxinitreto de silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/140566
Arquivos Descrição Formato
000124320.pdf (414.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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