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Electrical isolation of a silicon [Delta]-doped layer in GaAs by ion irradiation

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Electrical isolation of a silicon [Delta]-doped layer in GaAs by ion irradiation

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Título Electrical isolation of a silicon [Delta]-doped layer in GaAs by ion irradiation
Autor Danilov, Iuri
Souza, Joel Pereira de
Boudinov, Henri Ivanov
Murel, A.V.
Shashkin, V.I.
Abstract The electrical isolation of a n-type d -doped layer embedded into undoped GaAs was studied using proton or helium ion bombardment. The threshold dose for isolation Dth of the d -doped layer was found to be '2 times higher than that predicted for thick doped layers of similar carrier concentration. The thermal stability of the isolation, i.e., the persistence of sheet resistance Rs at values .109V/h after subsequent thermal annealing, is limited to temperatures below 400 °C. This temperature limit for the thermal stability Tsm is markedly lower than those observed in wider doped layers in which Tsm is >650 °C. A previously isolated d -doped layer presents p-type conductivity after annealing at temperatures .600 °C .
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 75, no. 13 (Sept. 1999), p. 1917-1919
Assunto Arseneto de galio
Condutividade eletrica
Dopagem de semicondutores
Hélio
Implantacao de ions
Isolantes
Protons
Temperatura
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/140572
Arquivos Descrição Formato
000142914.pdf (404.2Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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