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Synthesis of GaN by N ion implantation in GaAs (001)

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Synthesis of GaN by N ion implantation in GaAs (001)

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Título Synthesis of GaN by N ion implantation in GaAs (001)
Autor Lin, X.W.
Behar, Moni
Maltez, Rogério Luis
Swider, W.
Liliental-Weber, Zuzanna
Washburn, J.
Abstract Both the hexagonal and cubic GaN phases were synthesized in GaAs ~001! by 50 keV N ion implantation at 380 °C and subsequent furnace annealing at 850–950 °C for 10 min–2 h. For a fluence of 1.531017 cm22, transmission electron microscopy revealed that cubic GaN epitaxially crystallizes as precipitates in the GaAs matrix. A cubic-to-hexagonal GaN phase transition was observed for extended thermal anneals. By increasing the N fluence to 331017 cm22, a continuous buried layer of randomly oriented hexagonal-GaN nanocrystals was produced.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 67, no. 18 (Oct. 1995), p. 2699-2701
Assunto Arseneto de galio
Crescimento epitaxial
Deposicao de vapor quimico
Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Microscopia ionica
Sputtering
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/140579
Arquivos Descrição Formato
000036969.pdf (894.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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