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Ion beam synthesis of cubic FeSi2

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Ion beam synthesis of cubic FeSi2

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Título Ion beam synthesis of cubic FeSi2
Autor Desimoni, Judith
Bernas, H.
Behar, Moni
Lin, X.W.
Washburn, J.
Liliental-Weber, Zuzanna
Abstract Cubic FeSi, precipitates were synthesized in Si ( 100) by room-temperature Fe ion implantation followed by Si 500 keV ion beam induced epitaxial crystallization at 320 “C!. High resolution electron microscopy and Rutherford backscattering/channeling techniques show that the cubic precipitates occur in both aligned (A) and twinned (B) types with a lattice parameter very similar to that of the Si (100) matrix.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 62, no. 3 (Jan. 1993), p. 306-308
Assunto Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/140585
Arquivos Descrição Formato
000056178.pdf (756.2Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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