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On the behavior of deuterium in ultrathin SiO2 films upon thermal annealing

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On the behavior of deuterium in ultrathin SiO2 films upon thermal annealing

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Título On the behavior of deuterium in ultrathin SiO2 films upon thermal annealing
Autor Baumvol, Israel Jacob Rabin
Gusev, Evgeni P.
Stedile, Fernanda Chiarello
Freire Junior, Fernando Lazaro
Green, Martin L.
Brasen, D.
Abstract Following the observation of the large isotopic effect in D2 passivated gate dielectrics @J. Lyding, K. Hess, and I. C. Kizilyalli, Appl. Phys. Lett. 68, 2526 ~1996!#, we studied the behavior of deuterium in ultrathin SiO2 films by nuclear reaction analysis techniques. Accurate concentrations of deuterium in the films, deuterium depth distributions, and deuterium removal from the film upon thermal annealing in vacuum have been examined. For D2 passivated films, we found rather high concentrations of deuterium near the SiO2 /Si interface, well above both the solubility of deuterium in silica and the maximum concentration of electrically active defects at the interface. Our results suggest a complex multistep mechanism of thermally activated deuterium removal from the film, which probably consists of D detrapping, diffusion, and desorption steps.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 72, no. 4 (Jan. 1998), p. 450-452
Assunto Deutério : Tratamento térmico
Dióxido de silício
Filmes finos
Implantacao de ions
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/140631
Arquivos Descrição Formato
000095724.pdf (442.6Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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