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Isotopic tracing during rapid thermal growth of silicon oxynitride films on Si in O2, NH3, and N2O

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Isotopic tracing during rapid thermal growth of silicon oxynitride films on Si in O2, NH3, and N2O

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Título Isotopic tracing during rapid thermal growth of silicon oxynitride films on Si in O2, NH3, and N2O
Autor Baumvol, Israel Jacob Rabin
Stedile, Fernanda Chiarello
Ganem, Jean-Jacques
Trimaille, Isabelle
Rigo, Serge
Abstract We performed isotopic tracing of O, N, and H during rapid thermal growth of silicon oxynitride films on silicon in two different sequential, synergistic gas environments: O2, followed by NH3, then followed by N2O; and N2O, followed by NH3. Using nuclear reaction analysis and high resolution depth profiling, we demonstrate that the oxynitride films grow by means of thermally activated atomic transport involving the three traced species. Concomitantly, isotopic exchange processes take place. Growth in these sequential gas environments leads to oxynitride films with N concentration profiles and H concentrations different from those obtained by commonly used processes like thermal growth in N2O only or thermal nitridation of SiO2 films in NH3.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 70, no. 15 (Apr. 1997), p. 2007-2009
Assunto Filmes finos dieletricos
Nitrogenio
Oxido nitroso
Oxigenio
Oxinitreto de silicio
Processos de transporte
Reacoes nucleares
Tracadores
Tracagem isotopica
Transporte atomico
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/140663
Arquivos Descrição Formato
000155049.pdf (430.0Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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