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Metastable acceptor centers in boron implanted silicon

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Metastable acceptor centers in boron implanted silicon

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Título Metastable acceptor centers in boron implanted silicon
Autor Souza, Joel Pereira de
Boudinov, Henri Ivanov
Abstract The evolution of the electrical activation with the annealing time in B1 implanted (5.0 31014 cm22, 50 keV! Si was studied as a function of the annealing temperature. Electrical activation yields of 15%–30% were observed after annealing for 2 s at temperatures above 550 °C. Prolonging the annealing time from 2 to 900 s we observed that the electrical activation evolves differently according to the temperature: ~i! at 550 °C,T,700 °C it decreases toward an equilibrium level, ~ii! at 700 °C,T,800 °C it decreases during the first minutes and subsequently increases again, and ~iii! at temperatures ,550 °C or T.800 °C it increases continuously. In order to explain the carrier removal observed during annealing at 550–800 °C we proposed that metastable acceptor centers are formed during the B1 implantation and/or the initial period of the annealing time. Interaction of Si self-interstitial atoms with these centers leads to their neutralization and/or dissociation with consequent decreasing of the carrier concentration.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 66, n. 23 (June 1995), p. 3173-3175
Assunto Dislocacoes
Dopagem de semicondutores
Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Ionizacao
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/140717
Arquivos Descrição Formato
000262599.pdf (406.3Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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