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Electrical activation of carbon in GaAs : implantation temperature effects

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Electrical activation of carbon in GaAs : implantation temperature effects

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Título Electrical activation of carbon in GaAs : implantation temperature effects
Autor Danilov, Iuri
Souza, Joel Pereira de
Murel, A.V.
Pudenzi, Marcio Alberto Araujo
Abstract Carbon was implanted into GaAs at the energy of 1 MeV with doses between 131013 and 2 31015 cm22 at temperatures of 80 K, nominal room temperature (RT), and 300 °C. A markedly higher electrical activation was obtained in the samples implanted at 80 K compared to those implanted at RT or 300 °C, attaining a maximum hole concentration of 231019 cm23. The redistribution of the C profile during rapid thermal annealing at temperatures from 700 to 950 °C for 10 s was found negligible, independently of the implantation temperature. Similar improvements in the electrical properties were also verified in samples implanted at 80 K with a lower energy of 60 keV. We consider that despite the light mass of C ions, the reduced dynamic annealing at 80 K allows the accumulation of an abundance of As vacancies, which assist the C activation as a p-type dopant.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 78, no. 12 (Mar. 2001), p. 1700-1702
Assunto Carbono
Estados de impureza
Implantacao ionica
Recozimento térmico rápido
Semicondutores iii-v
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141074
Arquivos Descrição Formato
000284611.pdf (401.6Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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