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Electrical isolation of GaN by MeV ion irradiation

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Electrical isolation of GaN by MeV ion irradiation

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Título Electrical isolation of GaN by MeV ion irradiation
Autor Boudinov, Henri Ivanov
Kucheyev, Sergei O.
Williams, J.S.
Jagadish, Chenupati
Li, Gang
Abstract The evolution of sheet resistance of n-type GaN epilayers exposed to irradiation with MeV H, Li, C, and O ions is studied in situ. Results show that the threshold dose necessary for complete isolation linearly depends on the original free electron concentration and reciprocally depends on the number of atomic displacements produced by ion irradiation. Furthermore, such isolation is stable to rapid thermal annealing at temperatures up to 900 °C. In addition to providing a better understanding of the physical mechanisms responsible for electrical isolation, these results can be used for choosing implant conditions necessary for an effective electrical isolation of GaN-based devices.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 78, no. 7 (Feb. 2001), p. 943-945
Assunto Compostos de galio
Efeitos de feixe iônico
Recozimento térmico rápido
Resistividade eletrica
Semicondutores de gap largo
Semicondutores iii-v
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141082
Arquivos Descrição Formato
000288366.pdf (396.2Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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