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Comparison of nitrogen incorporation in SiO/sub 2//SiC and SiO/sub 2/Si structures

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Comparison of nitrogen incorporation in SiO/sub 2//SiC and SiO/sub 2/Si structures

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Título Comparison of nitrogen incorporation in SiO/sub 2//SiC and SiO/sub 2/Si structures
Autor McDonald, K.
Huang, M.B.
Weller, R.A.
Feldman, L.C.
Williams, J.R.
Stedile, Fernanda Chiarello
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Radtke, Claudio
Abstract The nitrogen content of SiO2/SiC (4H) structures annealed in NO and N2O has been measured using nuclear reaction analysis. Samples were annealed in 15N18O or 15N2O at 1000 °C at a static pressure of 10 mbar for either 1 or 4 h. Annealing in N2O incorporates ~1013 cm22 of N and annealing in NO incorporates ~1014 cm-2, both of which are an order of magnitude lower than in SiO2/Si. In the NO anneal, N is predominantly incorporated near the SiO2/SiC interface with an atomic concentration of ~0.5%. As in the nitridation of SiO2/Si, two features are observed in SiO2/SiC after the NO anneal: a surface exchange of O in the oxide with the gas phase and NO diffusion and reaction at the interface. The surface exchange reaction in SiO2/SiC is similar to SiO2/Si, but there is a large difference in the incorporation of N at the interface.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 76, no. 5 (Jan. 2000), p. 568-570
Assunto Análise química nuclear
Dopagem de semicondutores
Filmes finos
Interdifusao quimica
Interfaces
Interfaces semicondutor-isolante
Nitretacao
Nitrogenio
Oxidacao
Recozimento
Silicio
Trocas químicas
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141103
Arquivos Descrição Formato
000269708.pdf (396.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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