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High-resolution depth profiling in ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ films on Si

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High-resolution depth profiling in ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ films on Si

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Título High-resolution depth profiling in ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ films on Si
Autor Gusev, Evgeni P.
Copel, Matthew
Cartier, Eduard
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Krug, Cristiano
Gribelyuk, M.A.
Abstract A combination of two complementary depth profiling techniques with sub-nm depth resolution, nuclear resonance profiling and medium energy ion scattering, and cross-sectional high-resolution transmission electron microscopy were used to study compositional and microstructural aspects of ultrathin (sub-10 nm) Al2O3 films on silicon. All three techniques demonstrate uniform continuous films of stoichiometric Al2O3 with abrupt interfaces. These film properties lead to the ability of making metal-oxide semiconductor devices with Al2O3 gate dielectric with equivalent electrical thickness in the sub-2 nm range.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 76, no. 2 (Jan. 2000), p. 176-178
Assunto Alumina
Espalhamento
Estequiometria
Filmes finos dieletricos
Impacto ion-superfície
Microscopia eletronica de transmissao
Ressonâncias nucleares
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141113
Arquivos Descrição Formato
000269709.pdf (555.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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