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Stability of zirconium silicate films on Si under vacuum and O/sub 2/ annealing

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Stability of zirconium silicate films on Si under vacuum and O/sub 2/ annealing

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Título Stability of zirconium silicate films on Si under vacuum and O/sub 2/ annealing
Autor Morais, Jonder
Rosa, Elisa Brod Oliveira da
Miotti, Leonardo
Pezzi, Rafael Peretti
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Rotondaro, Antonio L.P.
Bevan, M.J.
Colombo, Luigi
Abstract The effect of postdeposition annealing in vacuum and in dry O2 on the atomic transport and chemical stability of chemical vapor deposited ZrSixOy films on Si is investigated. Rutherford backscattering spectrometry, narrow nuclear resonance profiling, and low energy ion scattering spectroscopy were used to obtain depth distributions of Si, O, and Zr in the films. The chemical environment of these elements in near-surface and near-interface regions was identified by angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy. It is shown that although the interface region is rather stable, the surface region presents an accumulation of Si after thermal annealing.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 78, no. 17 (Apr. 2001), p. 2446-2448
Assunto Analise quimica
Composição superficial
Compostos de zirconio
Espectro de fotoeletrons produzidos por raios-x
Estabilidade termica
Estrutura interfacial
Filmes finos isolantes
Recozimento
Retroespalhamento rutherford
Revestimento
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141120
Arquivos Descrição Formato
000289531.pdf (428.8Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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