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Initial stages of SiC oxidation investigated by ion scattering and angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopies

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Initial stages of SiC oxidation investigated by ion scattering and angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopies

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Título Initial stages of SiC oxidation investigated by ion scattering and angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopies
Autor Radtke, Claudio
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Morais, Jonder
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract Initial stages of oxidation of single-crystal, Si-faced silicon carbide were investigated using ion scattering and angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopies. The very first oxidation products are shown to be silicon oxycarbides (SiCxOy), while, for longer oxidation times, a mixture of SiCxOy and SiO2 is formed in the near-surface region of the growing oxide film. The composition of the near-surface region of such thin films is very similar to that reported in previous investigations for the near-interface region when thicker oxides films are grown on SiC.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 78, no. 23 (June 2001), p. 3601-3603
Assunto Compostos de silício
Espectro de fotoeletrons produzidos por raios-x
Filmes finos
Oxidacao
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141146
Arquivos Descrição Formato
000292331.pdf (412.0Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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