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Integrity of hafnium silicate/silicon dioxide ultrathin films on Si

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Integrity of hafnium silicate/silicon dioxide ultrathin films on Si

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Título Integrity of hafnium silicate/silicon dioxide ultrathin films on Si
Autor Morais, Jonder
Miotti, Leonardo
Soares, Gabriel Vieira
Teixeira, Sergio Ribeiro
Pezzi, Rafael Peretti
Bastos, Karen Paz
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Rotondaro, Antonio L.P.
Chambers, Jim J.
Visokay, Mark R.
Colombo, Luigi
Abstract Rapid thermal annealing at 1000 °C of (HfO2)12x(SiO2)x pseudobinary alloy films deposited on Si were performed in N2 or O2 atmospheres. The effects on the atomic transport, structure, and composition were investigated using isotopic substitution of oxygen, high-resolution transmission electron microscopy, nuclear reaction analyses, narrow nuclear reaction resonance profiling, and grazing angle x-ray reflection.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 81, no. 16 (Oct.2002), p. 2995-2997
Assunto Análise química nuclear
Compostos de háfnio
Compostos de silício
Difracao de raios x
Filmes finos isolantes
Fronteira entre semicondutor isolante
Microscopia eletronica de transmissao
Semicondutores elementares
Silicio
Tratamento térmico rápido
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141195
Arquivos Descrição Formato
000337201.pdf (689.5Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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