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Enhanced initial growth of atomic-layer-deposited metal oxides on hydrogen-terminated silicon

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Enhanced initial growth of atomic-layer-deposited metal oxides on hydrogen-terminated silicon

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Título Enhanced initial growth of atomic-layer-deposited metal oxides on hydrogen-terminated silicon
Autor Frank, Martin M.
Chabal, Yves Jean
Green, Martin L.
Delabie, Annelies
Brijs, Bert
Wilk, Glen D.
Ho, Mun-Yee
Rosa, Elisa Brod Oliveira da
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract A route is presented for activation of hydrogen-terminated Si(100) prior to atomic layer deposition. It is based on our discovery from in situ infrared spectroscopy that organometallic precursors can effectively initiate oxide growth. Narrow nuclear resonance profiling and Rutherford backscattering spectrometry show that surface functionalization by pre-exposure to 108 Langmuir trimethylaluminum at 300 °C leads to enhanced nucleation and to nearly linear growth kinetics of the high-permittivity gate dielectrics aluminum oxide and hafnium oxide.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 83, no. 4 (July 2003), p. 740-742
Assunto Físico-química
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141213
Arquivos Descrição Formato
000376604.pdf (543.8Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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