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Thermal stability and diffusion in gadolinium silicate gate dielectric films

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Thermal stability and diffusion in gadolinium silicate gate dielectric films

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Título Thermal stability and diffusion in gadolinium silicate gate dielectric films
Autor Landheer, Dolf
Wu, Xiaohua
Morais, Jonder
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Pezzi, Rafael Peretti
Miotti, Leonardo
Lennard, W.N.
Kim, Joon-Kon
Abstract Gadolinium silicate films on Si(100) annealed in oxygen and vacuum at temperatures up to 800 °C were analyzed by Rutherford backscattering and narrow resonance nuclear profiling. Oxygen diffused into the film eliminating oxygen vacancies, but Si diffusion, previously observed in Al and Y oxides and in La and Zr silicate films, was absent. Higher-temperature annealing in oxygen resulted in the formation of an interfacial layer observable in high-resolution electron micrographs. Gd0.23Si0.14O0.63 films crystallize at temperatures between 1000 and 1050 °C. These observations combined with recent electrical measurements show that gadolinium silicate films may be a good candidate for the replacement of SiO2 in deep submicron metal–oxide–semiconductor gates.
Contido em Applied physics letters. Melville. Vol. 79, no. 16 (Oct. 2001), p. 2618-2620
Assunto Auto-difusao
Compostos de gadolínio
Estabilidade termica
Filmes finos dieletricos
Interdifusao quimica
Microscopia eletronica
Recozimento
Retroespalhamento rutherford
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141228
Arquivos Descrição Formato
000308419.pdf (412.6Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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