Repositório Digital

A- A A+

Formation of epitaxial [Beta]-Sn islands at the interface of SiO/sub 2/Si layers implanted with Sn ions

.

Formation of epitaxial [Beta]-Sn islands at the interface of SiO/sub 2/Si layers implanted with Sn ions

Mostrar registro completo

Estatísticas

Título Formation of epitaxial [Beta]-Sn islands at the interface of SiO/sub 2/Si layers implanted with Sn ions
Autor Lopes, João Marcelo Jordão
Zawislak, Fernando Claudio
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Papaleo, Ricardo Meurer
Lovey, Francisco Carlos
Condó, Adriana M.
Tolley, Alfredo J.
Abstract 180 nm SiO2 layers on Si s100d were implanted with Sn ions producing a profile with a peak concentration of 3 at. % at the middle of the oxide. After high temperature s900–1100 °Cd annealing, an array of b-Sn islands epitaxially attached to the Si was observed at the SiO2/Sis100d interface due to the migration of the implanted Sn atoms. The breakdown of the planar SiO2 /Si interface and the appearance of the island system is discussed in terms of the Sn–Si equilibrium properties. Our results reveal a new method to create a high density of nanosized islands with good uniformity in size and shape.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 86, no. 19 (May 2005), 191914, 3 p.
Assunto Compostos de silício
Estanho
Fisica da materia condensada
Implantacao ionica
Interdifusao quimica
Semicondutores elementares
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141284
Arquivos Descrição Formato
000530391.pdf (724.2Kb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

Este item está licenciado na Creative Commons License

Este item aparece na(s) seguinte(s) coleção(ões)


Mostrar registro completo

Percorrer



  • O autor é titular dos direitos autorais dos documentos disponíveis neste repositório e é vedada, nos termos da lei, a comercialização de qualquer espécie sem sua autorização prévia.
    Projeto gráfico elaborado pelo Caixola - Clube de Criação Fabico/UFRGS Powered by DSpace software, Version 1.8.1.