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Aluminum mobility and interfacial segregation in fully silicided gate contacts

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Aluminum mobility and interfacial segregation in fully silicided gate contacts

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Título Aluminum mobility and interfacial segregation in fully silicided gate contacts
Autor Pezzi, Rafael Peretti
Copel, Matthew
Cabral Junior, C.
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Abstract The mobility of aluminum implanted as a dopant of fully silicided nickel for advanced metal gates has been investigated following rapid thermal annealing at temperatures ranging from 160 to 700 °C. Resonant nuclear reaction profiling using the 27Al p, 28Si reaction was used for aluminum quantification and depth profiling. The results indicate that there is no significant aluminum loss in the whole annealing temperature interval. Furthermore, aluminum is seen to segregate near the interface with silicon oxide during metal silicidation, forming a stable layer of aluminum oxide.
Contido em Applied physics letters. Vol. 87, no. 16 (Oct. 2005), 162902, 3 p.
Assunto Alumínio
Interdifusao quimica
Niquel
Recozimento térmico rápido
Semicondutores elementares
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141297
Arquivos Descrição Formato
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