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Environment of hafnium and silicon in Hf-based dielectric films : an atomistic study by x-ray absorption spectroscopy and x-ray diffraction

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Environment of hafnium and silicon in Hf-based dielectric films : an atomistic study by x-ray absorption spectroscopy and x-ray diffraction

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Título Environment of hafnium and silicon in Hf-based dielectric films : an atomistic study by x-ray absorption spectroscopy and x-ray diffraction
Autor Morais, Jonder
Miotti, Leonardo
Bastos, Karen Paz
Teixeira, Sergio Ribeiro
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Rotondaro, Antonio L.P.
Chambers, James Joseph
Visokay, Mark R.
Colombo, Luigi
Alves, Maria do Carmo Martins
Abstract The atomic structure of HfSiO and HfSiON was investigated before and after thermal annealing using x-ray diffraction and x-ray absorption spectroscopy. In HfSiO, the Hf atoms are arranged in a monoclinic HfO2 structure with Hf as second nearest neighbors, while Si is in a SiO2 environment. Thermal annealing induces crystallization of HfSiO with subtle changes in Hf–Hf distances. In the case of HfSiON, a stable structure is observed around the Hf atoms, which remains unaffected after annealing. Nitrogen is present in the first coordination shell of the Hf atoms, with Si in a SiON environment.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 86, no. 21 (May 2005), 212906, 3 p.
Assunto Compostos de silício
Cristalização
Difracao de raios x
Espectroscopia de absorção
Espectroscopia de raio x
Espectros de absorção de raios-x
Estrutura cristalina
Filmes finos dieletricos
Raios X : Difração
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141313
Arquivos Descrição Formato
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