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Compositional stability of hafnium aluminates thin films deposited on Si by atomic layer deposition

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Compositional stability of hafnium aluminates thin films deposited on Si by atomic layer deposition

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Título Compositional stability of hafnium aluminates thin films deposited on Si by atomic layer deposition
Autor Driemeier, Carlos Eduardo
Bastos, Karen Paz
Miotti, Leonardo
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Nguyen, N. V.
Sayan, S.
Krug, Cristiano
Abstract We have used nuclear reaction analyses and Rutherford backscattering spectrometry to investigate quantitatively the compositional stability of hafnium aluminate thin films deposited on Sis001d by atomic layer deposition using HfCl4/H2O and AlsCH3d3/H2O precursors. It was found that increasing Al/Hf deposition cycles ratio leads to increasing oxygen deficiency in the as-deposited films as well as to increasing metal losses sup to ,15%d from the films after rapid thermal annealing at 1000 °C. Furthermore, isotopic substitution experiments, showed that incorporation of oxygen from the gas phase is eased in the cases where deposition conditions failed to supply enough oxygen to complete oxides stoichiometry.
Contido em Applied physics letters. Vol. 86, no. 22 (May 2005), 221911, 3 p.
Assunto Alumina
Estequiometria
Filmes finos dieletricos
Recozimento térmico rápido
Retroespalhamento rutherford
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141320
Arquivos Descrição Formato
000523045.pdf (423.9Kb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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