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Thermochemical behavior of hydrogen in hafnium silicate films on Si

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Thermochemical behavior of hydrogen in hafnium silicate films on Si

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Título Thermochemical behavior of hydrogen in hafnium silicate films on Si
Autor Driemeier, Carlos Eduardo
Chambers, James Joseph
Colombo, Luigi
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Abstract HfSiO films on Si were sequentially annealed in vacuum, oxygen, hydrogen, or deuterium atmospheres followed by quantification of H and D by nuclear reaction analysis. The observed H D incorporation and desorption behaviors are discussed in terms of two H bonding states in the films. Si–H bonds are easier to break thermally and formation of these bonds can be suppressed by annealing in O2 to fully oxidize Si atoms. O–H bonds are harder to break thermally. However, hydrogen atmospheres ease desorption of H in O–H species. The results indicate possible paths to achieve low H content in HfSiO gate dielectrics.
Contido em Applied physics letters. Vol. 89, no. 5 (July 2006), 051921, 3 p.
Assunto Física
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141386
Arquivos Descrição Formato
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