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Enhanced hydrogen bonding stregth observed in hydrogenated SiC and SiO2/SiC structures

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Enhanced hydrogen bonding stregth observed in hydrogenated SiC and SiO2/SiC structures

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Título Enhanced hydrogen bonding stregth observed in hydrogenated SiC and SiO2/SiC structures
Autor Soares, Gabriel Vieira
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Radtke, Claudio
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract Thermally induced H incorporation, depth distribution, and loss in SiC and in thermally grown SiO2 films on SiC were investigated using isotopic substitution and nuclear reaction analyses. Hydrogen deuterium is found near the SiO2 film surface or close to the SiO2 /SiC interface depending on the oxidation/D2-annealing sequence, being much more strongly bound to SiC-based structures than to their Si counterparts. C compounds near the interface seem to play a significant role on the physicochemical and consequently on the electrical characteristics of the D passivated SiO2 /SiC interface.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 90, no. 8 (Feb. 2007), 081906, 3 p.
Assunto Análise por reação nuclear
Carbeto de silicio
Compostos de silício
Filmes finos
Tracagem isotopica
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141399
Arquivos Descrição Formato
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