Repositório Digital

A- A A+

Effect of oxide overlayer formation on the growth of gold catalyzed epitaxial silicon nanowires

.

Effect of oxide overlayer formation on the growth of gold catalyzed epitaxial silicon nanowires

Mostrar registro completo

Estatísticas

Título Effect of oxide overlayer formation on the growth of gold catalyzed epitaxial silicon nanowires
Autor Jagannathan, Hemanth
Nishi, Yoshio
Reuter, Mark
Copel, Matthew
Tutuc, Emanuel
Guha, Supratik
Pezzi, Rafael Peretti
Abstract A direct dependence between the inadvertent formation of SiO2 on gold films deposited on silicon 111 substrates, and the nucleation and yield of epitaxial, gold catalyzed, silicon nanowires grown on such substrates is reported. The unintended SiO2 layer formed due to the diffusion of silicon from the underlying substrate through the gold film is observed to be 0.5 nm with medium energy ion scattering after brief exposures of 10–15 min in air. Silicon nanowires grown at 500 °C on such samples show reduced nucleation and growth. A remarkable improvement in nanowire nucleation density and epitaxy is observed on removing the SiO2 overlayer prior nanowire growth.
Contido em Applied physics letters. Vol. 88, no. 10 (Mar. 2006), 103113, 3 p.
Assunto Difusao
Nucleacao
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141400
Arquivos Descrição Formato
000555797.pdf (1.555Mb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

Este item está licenciado na Creative Commons License

Este item aparece na(s) seguinte(s) coleção(ões)


Mostrar registro completo

Percorrer



  • O autor é titular dos direitos autorais dos documentos disponíveis neste repositório e é vedada, nos termos da lei, a comercialização de qualquer espécie sem sua autorização prévia.
    Projeto gráfico elaborado pelo Caixola - Clube de Criação Fabico/UFRGS Powered by DSpace software, Version 1.8.1.