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Interaction of HfO/sub 2//SiO/sub 2/Si structures with deuterium gas

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Interaction of HfO/sub 2//SiO/sub 2/Si structures with deuterium gas

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Título Interaction of HfO/sub 2//SiO/sub 2/Si structures with deuterium gas
Autor Driemeier, Carlos Eduardo
Miotti, Leonardo
Radtke, Claudio
Gusev, Evgeni P.
Kim, M.J.
Wallace, Robert M.
Abstract HfO2 films 2.5 to 12 nm deposited on thermal SiO2 1.5 nm on Si were annealed in deuterium gas at 400–600 °C and incorporated D amounts were quantified using the D 3He, p 4He nuclear reaction.We found 1013 D cm−2 in the SiO2 interlayer region and up to 2.2 1014 D cm−2 near the HfO2 surface, whereas D amounts in the bulk of the HfO2 films were determined to be below 1013 cm−2. However, analyses employing the 1H 15N, 12C nuclear resonant reaction showed much more spurious H present in the bulk of HfO2 films. Mechanisms of D incorporation and desorption as well as contribution of the present results to the understanding of HfO2-based devices are discussed.
Contido em Applied physics letters. Vol. 88, no. 4 (Jan. 2006), 041918, 3 p.
Assunto Compostos de silício
Semicondutores elementares
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141421
Arquivos Descrição Formato
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