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Room temperature interactions of water vapor with HfO/sub 2/ films on Si

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Room temperature interactions of water vapor with HfO/sub 2/ films on Si

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Título Room temperature interactions of water vapor with HfO/sub 2/ films on Si
Autor Driemeier, Carlos Eduardo
Gusev, Evgeni P.
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Abstract HfO2 /SiO2/Si 001 thin film structures were exposed at room temperature to water vapor isotopically enriched in 2H and 18O followed by quantification and profiling of these nuclides by nuclear reaction analysis. We showed i the formation of strongly bonded hydroxyls at the HfO2 surface; ii room temperature migration of oxygen and water-derived oxygenous species through the HfO2 films, indicating that HfO2 is a weak diffusion barrier for these oxidizing species; iii hydrogenous, water-derived species attachment to the SiO2 interlayer, resulting in detrimental hydrogenous defects therein. Consequences of these results to HfO2-based metal-oxide-semiconductor devices are discussed.
Contido em Applied Physics Letters. New York. Vol. 88, no. 20 (May 2006), 201901, 3 p.
Assunto Física
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141461
Arquivos Descrição Formato
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