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Intermixing between HfO2 and GeO2 films deposited on Ge(001) and Si(001) : role of the substrate

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Intermixing between HfO2 and GeO2 films deposited on Ge(001) and Si(001) : role of the substrate

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Título Intermixing between HfO2 and GeO2 films deposited on Ge(001) and Si(001) : role of the substrate
Autor Soares, Gabriel Vieira
Krug, Cristiano
Miotti, Leonardo
Bastos, Karen Paz
Lucovsky, Gerald
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Radtke, Claudio
Abstract Thermally driven atomic transport in HfO2 /GeO2/substrate structures on Ge 001 and Si 001 was investigated in N2 ambient as function of annealing temperature and time. As-deposited stacks showed no detectable intermixing and no instabilities were observed on Si. On Ge, loss of O and Ge was detected in all annealed samples, presumably due to evolution of GeO from the GeO2 /Ge interface. In addition, hafnium germanate is formed at 600 °C. Our data indicate that at 500 °C and above HfO2 /GeO2 stacks are stable only if isolated from the Ge substrate.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 98, no. 13 (Mar. 2011), 131912, 3 p.
Assunto Compostos de háfnio
Crescimento de semicondutores
Germânio
Plasma CVD
Semicondutores elementares
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141673
Arquivos Descrição Formato
000783574.pdf (1.087Mb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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